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채용정보

[매그나칩반도체] Power Device 개발 엔지니어 신입사원 채용 (~12.28)

  • 한가연
  • 등록일 : 2020.12.24
  • 조회수 : 430

[전형절차]

- 서류전형 > 면접전형 > 채용검진 > 최종합격


[직무]

- Power Device 개발


[업무내용]

- Trench MOSFET 개발

- Super Junction MOSFET 개발

- IGBT & FRD 개발


[자격요건]

- 전자공학/반도체 관련 학사학위 이상 소지자

- 학점 3.0이상


매그나칩반도체 Power Device 개발 Engineer 채용 | 모집분야: Power Device 개발 신입사원 (0 명) 주요 업무 자격요건 근무지 • Trench MOSFET 개발 · 전자공학/반도체 관련 학사학위 이상 소지자 • Super Junction MOSFET 개발 | | · 학점 3.0 이상 • IGBT & FRD 개발 • Power 소자 및 반도체 공정 process 이해 서울 ■ 지원 방법 • 당사 온라인 지원 시스템 이용 (https://www.magnachip.com/ → 상단 Korean → 채용정보 → 온라인입사지원) • 2021년 졸업 예정자 지원 가능. 단 채용 이후 전일근무가 가능한 경우에 한함 • 첨부 서류 -. 졸업(예정)증명서, 성적증명서, 논문요약을 반드시 PDF 파일로 첨부 (필수) * 졸업(예정)증명서가 발급이 되지 않는 경우, 재학증명서로 대체 가능합니다. * 졸업(예정)증명서.pdf, 성적증명서.pdf, 등으로 본인성명을 별도 기재하지 말고 첨부하시기 바랍니다. * 논문자료가 없는 경우에는 제출하지 않아도 무방합니다. * 논문 및 포트폴리오의 경우, 전체(매우 큰 파일) 업로드 시 참고가 어려울 수 있습니다. · 접수 기한 : 2020 년 12 월 17 일 (목) ~ 2020 년 12 월 28 일 (월) 24 시 ■ 전형 절차 • 서류전형 → 면접전형 → 채용검진 → 입사 채용 관련 문의 • 채용담당자 misuki.kim@magnachip.com • 홈페이지 : https://www.magnachip.com/