Journal of Physics D: Applied Physics

“Highlights of 2011 collection" 선정

- 박성주 교수팀 논문 -

 

 

광주과학기술원(GIST, 총장 김영준) 신소재공학부 박성주 교수팀의 논문이 Journal of Physics D: Applied Physics誌의 “Highlights of 2011 collection”에 선정되었다.

    - IOP Publishing 최근 자료에 의하면 박성주 교수팀이 발표한 “질화갈륨  

      기반의 고효율 발광다이오드”에 관한 논문이 높은 관심과 평가를 바탕으로

      2011 Highlights로 선택되었다. (첨부 참조)

   - 본 논문은 이상준 박사과정 (제1저자, 신소재공학부)과 박성주 교수 

      (교신저자,  신소재공학부)가 국제학술지인 Journal of Physics D: Applied

      Physics誌에 2011년 2월 발표하였다.

 

박성주교수팀에서 발표한 논문은 게재 이후 1년간 총 500회가 넘는 access를 기록하였으며, 이는 IOP 저널 전체 논문 중에서 상위 3%에 해당되는 내용이다.

 

발광다이오드는 활성층 내 전자와 정공의 결합을 이용하여 빛을 내는 광전소자이다. 이 때 전자와 정공의 이동도 차이로 인해 일반적으로 활성층 내에는 불균일한 캐리어 분포를 보이게 되며 발광다이오드의 효율이 저하된다.

 

본 논문에서는 발광다이오드 내 정공을 제공하는 p형 초격자층에 조성 그레이딩 기술을 적용함으로써 활성층에 좀더 효율적인 정공 주입을 가능하게 하였다. 이를 통하여 활성층 내 전자와 정공의 결합효율 및 발광다이오드의 광출력을 향상시켰다.

 

박성주 교수팀은 삼성 LED (現 삼성전자)와 공동연구를 통하여 본 논문에서 기존 발광다이오드에 비해 고전류에서 외부양자효율이 크게 향상된 결과를 발표하였다. 이는 차세대 광원으로 주목받고 있는 발광다이오드 분야에서 반드시 해결되어야 하는 문제점 중의 하나인 efficiency droop 현상을 개선시키는 결과로 평가되었다.

 

<첨부> Journal of Physics D: Applied Physics ‘2011 Highlights" collection 선정내용 (link: http://iopscience.iop.org/0022-3727/page/2011%20Highlights)